সেমিকন্ডাক্টর সিরামিকগুলির পরিচিতি

অর্ধপরিবাহী ব্যবস্থাগুলির মাধ্যমে সিরামিকগুলিতে অর্ধপরিবাহী শস্য এবং অন্তরক (বা অর্ধপরিবাহী) শস্যের সীমানা থাকে, ফলে শক্তিশালী ইন্টারফেস বাধা এবং অন্যান্য অর্ধপরিবাহী বৈশিষ্ট্য দেখায়।

সিরামিকগুলির অর্ধপরিবাহীকরণের জন্য দুটি প্রধান পদ্ধতি রয়েছে: জোর করে হ্রাস পদ্ধতি এবং দাতা ডোপিং পদ্ধতি (পারমাণবিক ভ্যালেন্স নিয়ন্ত্রণ পদ্ধতি হিসাবেও পরিচিত)। উভয় পদ্ধতিই সিরামিকের স্ফটিকগুলিতে আয়ন শূন্যপদগুলির মতো ত্রুটিগুলি তৈরি করে, যার ফলে প্রচুর পরিমাণে পরিবাহী ইলেকট্রন সরবরাহ করা হয়, সিরামিকগুলিতে শস্যগুলি একটি নির্দিষ্ট ধরণের (সাধারণত এন-টাইপ) সেমিকন্ডাক্টর হয়ে ওঠে। এই শস্যগুলির মধ্যে ইন্টারলেয়ার একটি অন্তরক স্তর বা অন্য ধরণের (পি-টাইপ) অর্ধপরিবাহী স্তর।

অনেক ধরণের আছেসেমিকন্ডাক্টর সিরামিকস, সেমিকন্ডাক্টর সিরামিকগুলিতে শস্যের বৈশিষ্ট্য ব্যবহার করে তৈরি বিভিন্ন নেতিবাচক তাপমাত্রার সহগের থার্মিস্টর সহ; সেমিকন্ডাক্টর ক্যাপাসিটার, জেডএনও ভেরিস্টর, বিটিও 3 পজিটিভ তাপমাত্রা সহগ থার্মিস্টর, সিডিএস/সিইউ 2 এস সৌর কোষগুলি শস্যের সীমানার বৈশিষ্ট্যগুলি ব্যবহার করে তৈরি; এবং বিভিন্ন সিরামিক হাইড্রোস্কোপিক প্রতিরোধক এবং গ্যাস সংবেদনশীল প্রতিরোধকগুলি পৃষ্ঠের বৈশিষ্ট্যগুলি ব্যবহার করে তৈরি করা হয়। সারণী 2 সেন্সরগুলির জন্য সাধারণ সেমিকন্ডাক্টর সিরামিকগুলি তালিকাভুক্ত করে।

সিডিএস/সিইউ 2 এস ফোটো ইলেক্ট্রিক সিরামিকগুলি উপরের সারণীতে তালিকাভুক্ত অর্ধপরিবাহী সিরামিকগুলির থেকে পৃথক যা অন্তরক শস্য সীমানা স্তরটির বৈশিষ্ট্যগুলি ব্যবহার করে। তারা এন-টাইপ সিডিএস এবং পি-টাইপ কিউ 2 এস শস্য সীমানা স্তরগুলির মধ্যে পিএন হিটারোজানশনের ফটোভোলটাইক প্রভাব ব্যবহার করে। এগুলির তৈরি সিরামিক সৌর কোষগুলি মানহীন স্টেশনগুলির জন্য পাওয়ার উত্স হিসাবে এবং বৈদ্যুতিন যন্ত্রগুলিতে ফোটো ইলেক্ট্রিক কাপলিং ডিভাইস হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে।